专利摘要：降低导通损耗SiC器件

专利摘要显示，降低导通损耗SiC器件，涉及半导体技术领域。隔离介质层覆盖在门极Poly层的顶面，并向下延伸与N+区连接；碳化硅Drift层顶面的中部设有源级Poly层，源级Poly层的侧部设有与之间隔设置并与隔离介质层连接的欧姆接触合金层；源级Poly层和欧姆接触合金层之间设有向上延伸的氧化物介质层。欧姆接触合金层底部与碳化硅Drift层中的N+区和P+区接触，将P‑base区、N+区和P+区同电位，提高器件耐压能力。

扬杰电子获降低导通损耗SiC器件专利

扬杰电子：创新解决方案引领SiC器件领域

扬杰电子的专利正是对此提出了具有创新性的解决方案，通过在器件内部的栅极区域引入介质层串联一介质电阻层，从而有效提高内部栅极电阻，进而降低导通损耗。

权威数据：扬杰电子在SiC器件领域的实力

金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为 一种坚固短路特性的SiC晶体管及制备方法的专...

天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币，实缴资本54231.5万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目164次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息704条，此外企业还拥有行政许可233个。

核心技术：降低短路损耗，提升器件性能

该专利的公布标志着扬州扬杰电子科技股份有限公司在SiC器件技术领域取得重要进展，未来有望在相关行业发挥重要作用。本文源自金融界

12月29日，扬杰科技公开“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法”、“一种碳化硅半导体器件及其制备方法”、“一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法”等多项碳化硅器件相关专利，申请日期均为....包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层，所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的沟槽；还包括:PW区，位于所述沟槽处;NP区，从所述沟槽的顶部向下延伸，包裹于所述PW区内;PP区，设置在所述沟槽处，位于所述NP区的下....

专利申请：展示扬杰电子对SiC器件领域的持续投入

金融界 2024年 7月 16日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种降低栅极电容的 SiCMOSFET及制备方法”，公开号 CN202410623581.8，申请日期为 2024年 5月。.专利摘要显示，一种降低栅极电容的 SiC MOSFET及制备方法，涉半导体技术领域。

金融界2024年10月24日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为 一种具有空穴截止区的SiC MOSFET及制备方法...

12月29日，扬杰科技公开“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法”、“一种碳化硅半导体器件及其制备方法”、“一种提升SIC功率器件短路鲁棒性的...

金融界2025年4月3日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“降低导通损耗SiC器件”的专利，授权公告号CN 222706893 U，申请日期为2024年6月。

金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“提升SIC功率器件短路鲁棒性的结构及制造方法”专利，申请公布号为CN117316983A。

结论：扬杰电子引领SiC器件创新，为行业带来颠覆性变革

扬杰电子在SiC器件领域的创新和突破，为电力电子行业带来了颠覆性的变革。未来，随着技术的进步，电商与自媒体将更加注重用户体验与内容创新，从业者可以通过实际体验来验证这一趋势。欢迎大家在评论区分享你的经验，看看是否与我们的预测一致。