器件
扬杰电子获降低导通损耗SiC器件专利
专利摘要:降低导通损耗SiC器件专利摘要显示,降低导通损耗SiC器件,涉及半导体技术领域。隔离介质层覆盖在门极Poly层的顶面,并向下延伸与N+区连接;碳化硅Drift层顶面的中部设有源级Poly层,源级Poly层的侧部设有与之间隔设置并与···
业成科技扩瞳专利,图像出瞳双倍增
扩瞳技术:提升视觉体验的关键私信TA扩瞳是眼科医学的专用名词,常用于验光前的准备,使用药物来刺激睫状肌使其紧张收缩,同时瞳孔扩大,视网膜采光量增大。扩瞳技术在近视眼检查中起着至关重要的作用。业成科技扩瞳专利:技术革新引领视觉革命金融界202···
广州增芯研发RF-SOI电容制备新法
主要原因是制备450mm硅片需要大幅增加设备及制造成本,但是SEMI曾预测每个450mm晶圆厂单位面积芯片成本只下降8%,此时晶圆尺寸不再是降低成本的主要途径,因此厂商难以有动力投入450mm量产。全球8英寸和12英寸硅片下游应用侧重有所不···