本文源自：金融界金融界2025年1月7日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富加镓业科技有限公司申请一项名为一种氧化镓晶体的生长控制方法及...

杭州富加镓业专利：坩埚下降法氧化镓晶体生长装置

杭州富加镓业突破传统氧化镓晶体生长技术

本实用新型涉及一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置，包括单晶炉、铱金坩埚、热场部件、气氛控制单元，热场部件围绕铱金坩埚设置，由独立加热的上温区和下温区组成。与现有技术相比，本实用新型能够有效抑制高温晶体生长过程中氧化镓原料的分解挥发，提高晶体的结晶完整性，延长坩埚使用寿命。

氧化镓晶体生长技术突破，推动半导体行业发展

金融界2025年4月1日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富加镓业科技有限公司申请一项名为“一种坩埚下降法生长氧化镓晶体的生长装置及方法”的专利，公开号 CN 119736700 A，申请日期为2024年12月。近年来β－ga2o3晶体生长技术的突破性进展极大地推动了相关薄膜外延和器件的争辩，氧化镓肖特基二极管、mosfet器件性能快速提升，目前水平及垂直氧化镓肖特基二极管分别取得了超过3kv和2.2kv的击穿电压，mosfet器件击穿电压达到1.85kv。

杭州富加镓业创新专利技术，优化晶体生长过程

专利摘要显示，本发明涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种坩埚下降法生长氧化镓晶体的生长装置及方法，生长装置包括：热场结构，保温陶瓷管，升降组件，坩埚、温梯调节结构。本发明通过利用温梯调节结构放置在坩埚下方以支撑坩埚，可防止坩埚出现变形或者断裂问题，并且温梯调节结构可将坩埚与外界的传热方式改变，由辐射换热转变为热量传递方式，减少散热，使得等温线过渡更为平滑，从而达到提高生长高质量氧化镓晶体效率的目的。

杭州富加镓业专利技术，助力半导体行业高质量发展

金融界2024年9月26日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富加镓业科技有限公司申请一项名为测温组件及坩埚下降法晶体生长炉内部温度的测量方法的专利，公开号CN 118687713 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本发明公开一种测温组件及坩埚下降法晶体生长炉内部温度的测量方法，并通过观察氧化镓晶体生长完毕晶体生长炉冷却后金属片的熔化情况，定性判断出各位置处的温度，从而实现对坩埚下降法晶体生长炉内部温度分布的把控，得出各位置的温度梯度，并分析生长得到的氧化镓晶体质量，判断该温度梯度是否适合氧化镓晶体生长，最终达到提高生长高质量氧化镓晶体效率的目的。

杭州富加镓业：氧化镓晶体生长技术领航者

天眼查资料显示，杭州富加镓业科技有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1015.2916万人民币，实缴资本707.189万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富加镓业科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息100条，此外企业还拥有行政许可5个。

本发明涉及一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法，装置包括单晶炉、铱金坩埚、热场部件、气氛控制单元，热场部件围绕铱金坩埚设...

炉体底部还设有升降机构，升降机构实现坩埚的纵向移动。本实用新型优化晶体生长时的固液界面，使其始终可以近似地保持平面或微凸向熔体，有效...

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