天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可96个。

芯粤能半导体器件专利，如何降低比导通电阻

成立于2022年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。天眼查资料显示，广州粤芯三期集成电路制造有限公司...

专利摘要解析

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件、制备方法及电子设备。该半导体器件包括衬底、源极焊盘和栅极焊盘，源极焊盘包括第一层源极焊盘和第二层源极焊盘，第一层源极焊盘覆盖栅极结构和有源区，第二层源极焊盘覆盖第一层源极焊盘的部分顶面。栅极焊盘包括第一层栅极焊盘和第二层栅极焊盘，第一层栅极焊盘覆盖衬底的部分顶面，第二层栅极焊盘覆盖第一层栅极焊盘和第一层源极焊盘的部分顶面，其中，源极焊盘和栅极焊盘之间绝缘。通过第一层栅极焊盘的覆盖面积比第二层栅极焊盘的覆盖面积小，可以节省空间，进而增加有源区的面积，可以减小器件的比导通电阻值，提高半导体器件的可靠性和电性。

精益生产理念的应用

对于如何用精益生产的理念去建造一座自动化、智能化、规模化的Fab，戴学春也分享了芯粤能的经验。他指出，优化产线布局总共需分三步达成目标。 精益化生产要求生产过程快速、平稳、高效、经济；实现这条件的基础是生产线合理布局。然后半导体生产布局是指在满足生产要求，污染防治等条件下，排布生产线，达到：搬运动线最短化；产能最大化；提供布置方案，优化厂务系统布置，降低厂务配置成本。在生产布局上，企业应当先准确统计区域之间的物流量，再根据自身情况定义生产区...

专利技术优势

H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S... 提高产品的良品率和可靠性；通过N型截止环，可以有效的截断漏电通道产生的漏电流，有助于减少器件边缘漏电量大的情况发生；通过N型硅原子层，使得N型硅原子层与金属形成硅基势垒合金层，避免了碳化硅合金层带来的高势垒，降低正向导通时的势垒高度，使得JBS碳化硅二极管的正向开启电压V...

专利申请与实施

金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，广州粤芯三期集成电路制造有限公司申请一项名为半导体结构及其制备方法、绝缘栅双极型晶...

集微网获悉，广东芯粤能半导体有限公司经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，有效突破平面MOSFET性能提升瓶颈问题，进一步提升芯片性能、大幅降低成本。据悉，芯粤能第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台的1200V试制品单片最高良率超过97%，23mm2芯片尺寸下导通电阻为12.5mΩ，比导通电阻为2.3mΩ•cm2，比肩国际领先厂商主流产品性能指标，温升系数、开关损耗、抗雪崩和抗短路能力...

金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体器件、制备方法及电子设备”的专利，公开号CN 119742289 A，申请日期为2024年12月。

该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，有效突破平面MOSFET性能提升瓶颈问题，进一步提升芯片性能、大幅降低成本。

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