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杭州富芯电容专利，下极板导电层性能突破

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币，实缴资本895000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息259条，此外企业还拥有行政许可16个。

富芯半导体：专利技术引领行业创新

智慧芽数据显示，富芯半导体目前共有3件已公开的专利申请，均为发明专利，主要与介质层、电容器等领域相关。公开资料显示，杭州富芯半导体有限...

国家集成电路大基金投资29.5亿元，助力富芯发展

省金融控股有限公司3月30日于官方微信公众号中发布了《浙江金控赴省产业基金直投项目——杭州富芯半导体调研推进工作》，文中透露富芯半导体已获国家集成电路大基金投资29.5亿元。据悉，杭州富芯半导体致力于建设12寸高端模拟芯片研发和制造晶圆厂，浙江省产业基金此前直接出资15亿元投资该项目。

专利突破：下极板导电层性能显著提升

专利摘要显示，本发明公开了一种电容结构的形成方法及电容结构，其中电容结构的形成方法包括提供一半导体衬底，于半导体衬底内形成沟槽，于沟槽的内壁及半导体衬底的表面形成金属元素层。对位于沟槽的内壁及半导体衬底的表面金属元素层进行处理，以将金属元素层转化为第一金属化合物层，对第一金属化合物层进行处理，以将第一金属化合物层转化为第二金属化合物层，第二金属化合物层形成为下极板导电层。由此，本发明形成的下极板导电层材料分布均匀，电阻低，后续形成的电容结构在高频情况下，充放电稳定，电容系数比较好，形成的硅电容器的性能也有较大提升。

国家知识产权局认可，富芯半导体技术实力雄厚

金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司取得一项名为 超结MOSFET及半导体器件 的专利，授权公告号 CN 222...

记者获悉，国家集成电路产业投资基金二期近日入股了杭州富芯半导体有限公司，投资金额约为29.5亿元。

金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，富芯微电子有限公司取得一项名为 一种提高放电管浪涌能力的版图结构 的专利，授权公告号C...

金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“种电容结构的形成方法及电容结构”的专利，公开号CN 119743960 A，申请日期为2024年11月。

杭州富芯：打造集成电路产业新标杆

智慧芽数据显示，富芯半导体目前共有3件已公开的专利申请，均为发明专利，主要与介质层、电容器等领域相关。杭州资本此前在该项目开工时表示，将进一步推动国有资本向集成电路产业布局，为杭州富芯生产基地建设和持续研发扩产提供资金支持，帮助公司提升产线生产力与竞争力；同时利....

杭州富芯半导体有限公司.如此，既可以通过增大上下极之间的距离减少电容，又不会对半导体器件的高度或电学性能产生影响，从而使得半导体器件取得较佳的综合性能。.申请号:指国家知识产权局受理一件专利申请时给予该专利申请的一个标示号码。

富芯半导体发生了工商变更，新增股东大基金二期和杭州富远企业管理合伙企业。.富芯半导体成立于2019年，注册资本94.5亿元，主要从事高性...

9专区新品热卖人气好物居家生活服饰鞋包母婴亲子美食酒水一....专利摘要显示，一种电容器件及其形成方法，其中结构包括:位于衬底上的金属层结构...

《科创板日报》讯，《科创板日报》记者获悉，国家集成电路产业投资基金二期近日入股了杭州富芯半导体有限公司，投资金额约为29.5亿元。 值得注意的是，富芯半导体为浙江省首条12英寸晶圆生产线，项目总投资达400亿元。智慧芽数据显示

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