宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司专利技术概述

金融界2025年1月8日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司取得一项名为“改善硅片电阻率性能的预处理方法”的专利，授权...

宁夏中欣晶圆专利：控制低电阻重掺单晶电阻率下降幅度

金融界2025年4月1日消息，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“控制低电阻重掺单晶电阻率下降幅度的方法”的专利，公开号CN 119736706 A，申请日期为2024年12月。

专利技术解析

本发明提供一种低电阻率重掺砷硅单晶生产方法，属于掺杂硅单晶生产技术领域。方法包括化料、高温处理、一次安定、一次籽晶试温、降温、砷掺杂、二次安定、二次籽晶试温、引晶、放肩、等径、收尾步骤，其中，降温过程中，使硅熔液液面温度相比引晶温度降低20℃～50℃，砷掺杂过程中，设定单晶炉炉压为20 kPa～25 kPa。

实践表明，采用该方法能够有效降低得到的低电阻率重掺砷硅单晶晶棒的电阻率，砷掺杂剂的用量相比气相掺杂过程降低约7.4%，降低重掺砷硅单晶晶棒发生晶变的概率。

专利优势

专利摘要显示，本发明提供一种控制重掺单晶电阻率下降幅度的方法，涉及重掺拉晶技术领域，拉晶过程中，在固化率之后，通过拉速、压力、氩气共同调节，以拉制电阻率位于低电阻以下时，要求电阻率下降幅度≤0.4m Ω 的晶棒。

由于目前工艺无法直接得到头部电阻为低电阻故通过在一定固化率后，当晶棒电阻率达到低电阻时，通过拉速、压力、氩气共同调节，使得合格率提高，同时稳定性得到提升，标准差降低。

成本降低与产能提升

现在多次加料、投料量增加到500KG以上，石英坩埚成本降低了约一半。单炉产能大大提高，很快能到2500kg/月，约是2011年的2.5倍了所以相应的成本都大幅度降低，预计单晶圆棒成本很快要降为30元/kg。

拉晶速度继续提升、石英坩埚质量提升，是一个前提条件，可以拉3棒或4棒都可能，拉速目前...

宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司简介

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币，实缴资本9000万人民币。

通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息270条，此外企业还拥有行政许可22个。

宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司的专利技术，有效控制低电阻重掺单晶电阻率下降幅度，提高产品质量。随着技术的不断进步，半导体行业将迎来更加广阔的发展前景。

未来，随着技术的进步，电商与自媒体将更加注重用户体验与内容创新，从业者可以通过实际体验来验证这一趋势。欢迎大家在评论区分享你的经验，看看是否与我们的预测一致。